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J-GLOBAL ID：200903054524813821

半導体装置

Inventor： 津守 昌彦
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992360576
Publication number (International publication number)：1994204293
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の電気的特性を劣化させることなく、しかも十分な信頼性を確保することができる半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子10がフェイスダウンボンディングされる実装基板20上に、リング形のダム22を形成し、低粘度の封止樹脂12が半導体素子10と実装基板20との間隙に流れ込むのを阻止する。

Claim (excerpt)：

半導体素子がその表面を下側にして基板上に実装され、前記表面に形成された金属バンプと前記基板上に形成されたリードパッドとが電気的に接続される半導体装置において、前記半導体素子は低粘度の樹脂で封止されており、かつ、前記基板は前記封止樹脂の内部への流れ込みを防止するリング形の畝状突起(ダム)を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子部品装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218437   Applicant：株式会社東芝