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J-GLOBAL ID:200903054525405492

単量体とその製造方法、共重合体樹脂とその製造方法、前記共重合体樹脂を含むフォトレジスト組成物とその製造方法、および半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998367517
Publication number (International publication number):1999269228
Application date: Dec. 24, 1998
Publication date: Oct. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 KrFやArF等の超短波長光源用共重合体樹脂とその製造方法、及びこの樹脂を含むフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示される5-ヒドロキシ-6-ノルボニル(メタ)アクリレート誘導体を含む原料から得られることを特徴とする共重合体樹脂とその製造方法、およびこの樹脂を含むフォトレジスト組成物である。【化1】(前記式で、Rは2-t-ブトキシカルボニル基、2-カルボキシル基、2-ヒドロピラニルオキシカルボニル基、2-ヒドロフラニルカルボニル基、又は2-エトキシエチルオキシカルボニル基を示し、R1は水素又はメチル基を示す。)
Claim (excerpt):
下記式(1)で示される5-ヒドロキシ-6-ノルボニル(メタ)アクリレート誘導体であることを特徴とする単量体。【化1】(前記式で、Rは2-t-ブトキシカルボニル基、2-カルボキシル基、2-ヒドロピラニルオキシカルボニル基、2-ヒドロフラニルオキシカルボニル基、又は2-エトキシエチルオキシカルボニル基を示し、R1は水素又はメチル基を示す。)
IPC (6):
C08F 20/26 ,  C07C 67/14 ,  C07C 69/54 ,  C08F 20/04 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601
FI (6):
C08F 20/26 ,  C07C 67/14 ,  C07C 69/54 B ,  C08F 20/04 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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