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J-GLOBAL ID：200903054528869317

低抵抗単結晶炭化珪素の製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995232966
Publication number (International publication number)：1997077594
Application date： Sep. 11, 1995
Publication date： Mar. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、低抵抗率を有する単結晶炭化珪素を成長させる方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、N型の不純物ガスである窒素の分圧を5Torr以上とし、残部を不活性ガスで制御する。

Claim (excerpt)：

種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、N型の不純物ガスである窒素の分圧を5Torr以上とし、残部を不活性ガスにより雰囲気圧力を制御することを特徴とする低抵抗炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00 A