インライン型スパッタ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：下田容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222978
Publication number (International publication number)：1995078526
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】比抵抗が低く、表面凹凸が増加したITO膜を形成できるとともに、スループットと歩留りが向上するインライン型スパッタ装置を提供する。【構成】基板7を保持するキャリア8の通過方向に、キャリア8を取入れる第1室1、カソード23が設けられて基板7に第1層のITO膜を被覆する第2室2、ITO膜に加熱処理を施す第3室3、カソード41が設けられて基板7の第1層のITO膜上に第2層のITO膜を被覆する第4室4及びキャリア8を取り出す第5室5を順次配置してなる。

Claim (excerpt)：

それぞれ独立して減圧した雰囲気が調節できる複数の室を開閉可能なゲートバルブで直列に接続し、基板を保持したキャリアを前記各室内を順次通過させて、前記基板上に被膜を被覆するインライン型スパッタ装置において、前記キャリアの通過方向に、該キャリアを取入れる第1室、カソードが設けられて前記基板に第1層の被膜を被覆する第2室、被膜に加熱処理を施す第3室、カソードが設けられて前記基板の第1層の被膜上に第2層の被膜を被覆する第4室及び前記キャリアを取り出す第5室を順次配置してなることを特徴とするインライン型スパッタ装置。

IPC (3)：

H01B 13/00 503 , C23C 14/56 , G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

液晶表示素子用透明電導ガラスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-114435 Applicant：日本板硝子株式会社
シリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-041738 Applicant：日本真空技術株式会社
特開平2-189816

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