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J-GLOBAL ID：200903054544845738

ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製造方法

Inventor： 金子 信行 ,  鴨居 徳俊 ,  松井 二三雄
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 菊地 精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306570
Publication number (International publication number)：1994128379
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 耐久性、性能などの面で充分な対策がなかったプラスチック製品の帯電防止法において、耐水性、透明性、光沢に富み、高温、高湿度下においても制電効果が高く、皮膜硬度が高い樹脂組成物を主要成分とする新規なポリオルガノシルセスキオキサンの開発。【構成】 一般式(1) R1 -SiO3/2 (R1 は第四級アンモニウム型カチオン基を置換基として有する炭素数1〜12の置換炭化水素基)、一般式(2) R2 -SiO3/2 (R2 は炭素数1〜3のアルキル基)、および一般式(3) R3 -SiO3/2 (R3 は重合性不飽和結合を含む有機残基)で示される構造単位を(1) :(2) :(3) のモル比が1 〜80: 5〜90:5 〜95(但し(1) +(2) +(3) =100 とする。)の割合で含有しており、かつ数平均分子量が600 〜100,000 であるラダータイプポリオルガノシルセスキオキサン。

Claim (excerpt)：

構成成分として、一般式(1)R1 -SiO3/2 ......(1)(但し、式中R1 は第四級アンモニウム型カチオン基を置換基として有する炭素数1〜12の置換炭化水素基)、一般式(2)R2 -SiO3/2 ......(2)(但し、式中R2 は炭素数1〜3のアルキル基)、および一般式(3)R3 -SiO3/2 ......(3)(但し、式中R3 は重合性不飽和結合を含む有機残基)で示される構造単位を(1):(2):(3)のモル比が1〜80:5〜90:5〜95(但し(1)+(2)+(3)=100とする。)の割合で含有しており、かつ数平均分子量が600〜100,000であることを特徴とするラダータイプポリオルガノシルセスキオキサン。

IPC (3)：

C08G 77/26 NUJ ,  C09K 3/16 114 ,  C08F299/08