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J-GLOBAL ID：200903054558831683

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 平野 孝
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172934
Publication number (International publication number)：1995078840
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 特定の構造のポリイミド系樹脂のコート層を半導体チップ2の回路素子形成面上に有し、該コート層を接着剤1とし、複数のインナーリードを、前記半導体チップと接着し、該インナーリードと半導体チップとがボンディングワイヤ4で接続され、封止樹脂で封止されたLead On Chip構造を有する樹脂封止型半導体装置。【効果】 チップとリードフレームの接着が低温で可能であり作業工数も短縮できる。吸湿された水分が、半田リフロー時にパッケージの中で気化膨張するのを低減することができるのでパッケージクラックの発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

式(1)のポリイミド系樹脂のコート層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、該コート層を接着剤とし、複数のインナーリードを、前記半導体チップと接着し、該インナーリードと半導体チップとが、ボンディングワイヤで接続され、封止樹脂で封止されたLead On Chip構造を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【化1】(ここでAは、-O-、-SO2-、-CO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-等の内から選ばれた1種を示す)Zは2価の有機基、R1、R2は2価の炭素数1〜5の脂肪族基または炭素数6以上の芳香族基を示し、互いに同一でも異なってもよい。R3、R4は1価の脂肪族基または炭素数6以上の芳香族基を示し、互いに同一でも異なってもよい。n=1〜13で、0.01≦b/(a+b)≦0.3〕

IPC (5)：

H01L 21/52 ,  C08G 73/10 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-077432
  
• 特開平4-041530
  
• 特開平1-252634
  
• 特開平2-036542