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J-GLOBAL ID：200903054558831683
樹脂封止型半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172934
Publication number (International publication number)：1995078840
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】 特定の構造のポリイミド系樹脂のコート層を半導体チップ2の回路素子形成面上に有し、該コート層を接着剤1とし、複数のインナーリードを、前記半導体チップと接着し、該インナーリードと半導体チップとがボンディングワイヤ4で接続され、封止樹脂で封止されたLead On Chip構造を有する樹脂封止型半導体装置。【効果】 チップとリードフレームの接着が低温で可能であり作業工数も短縮できる。吸湿された水分が、半田リフロー時にパッケージの中で気化膨張するのを低減することができるのでパッケージクラックの発生を防止できる。
Claim (excerpt)：
式(1)のポリイミド系樹脂のコート層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、該コート層を接着剤とし、複数のインナーリードを、前記半導体チップと接着し、該インナーリードと半導体チップとが、ボンディングワイヤで接続され、封止樹脂で封止されたLead On Chip構造を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【化1】(ここでAは、-O-、-SO2-、-CO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-等の内から選ばれた1種を示す)Zは2価の有機基、R1、R2は2価の炭素数1〜5の脂肪族基または炭素数6以上の芳香族基を示し、互いに同一でも異なってもよい。R3、R4は1価の脂肪族基または炭素数6以上の芳香族基を示し、互いに同一でも異なってもよい。n=1〜13で、0.01≦b/(a+b)≦0.3〕
IPC (5)：
H01L 21/52
, C08G 73/10
, H01L 21/60 301
, H01L 23/29
, H01L 23/31
Cited by examiner (8)
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