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J-GLOBAL ID：200903054561910357

ウェハからチップを形成する方法

Inventor： フランシス エム.メス ,  チェラパン ナラヤナン
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999178612
Publication number (International publication number)：2000031115
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 非矩形の光学集積回路のダイ(チップ)から損傷領域を除去する方法を提供する。【解決手段】 本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがCO2レーザによりウェハから分離(切断)された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。損傷した基板材料の選択性エッチングは、ダイをエチレン ジアミン ピロカテコール(ethylene diaminepyrocatechol:EDP)、あるいは水酸化カリウム(KOH)の溶液の中に浸し、レーザ切断領域に隣接して存在する損傷した基板材料を除去するものである。

Claim (excerpt)：

(A) ウェハからチップを切り出すステップと、(B) 前記切り出されたチップの損傷領域の少なくとも一部をエッチングにより除去するステップとからなることを特徴とするウェハからチップを形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/301

FI (4)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-024944