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J-GLOBAL ID：200903054570773150

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
森 秀光

About 森 秀光


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000175139
Publication number (International publication number)：2001358311
Application date： Jun. 12, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】積層構造のコンタント孔を有するFeRAMのプレート線と同層以上に設けられた金属配線において、コンタクト抵抗の上昇およびコンタクト孔内での断線の抑制が容易になりな構造を提供する。【解決手段】第1層のビットコンタクト孔112b,コンタント孔212cの上端は、下部電極116aと同層の導電体膜パッド116b,116cにより覆われている。
Claim (excerpt)：
ビット線より下部に設けられた強誘電体容量素子とNチャネルMOSトランジスタとからなるメモリセルを含んでなる強誘電体不揮発性RAM(FeRAM)であって、シリコン基板の表面に設けられた前記NチャネルMOSトランジスタを覆う第1の層間絶縁膜には、該NチャネルMOSトランジスタのN型のソース・ドレイン領域の一方に達するノードコンタクト孔と該ソース・ドレイン領域の他方に達する第1層のビットコンタクト孔とが設けられ、該ノードコンタクト孔および第1層のビットコンタクト孔は、それぞれ第1のバリア導電体膜を介して,タングステン膜からなる第1層の導電体膜プラグにより充填され、前記第1の層間絶縁膜の表面に設けられた前記強誘電体容量素子は、前記ノードコンタクト孔を充填する前記第1層の導電体膜プラグに直接に接続する下部電極と、強誘電体膜と、上部電極とからなり、前記第1の層間絶縁膜の表面には前記下層電極と同層の導電体膜パッドが設けられ、該導電体膜パッドは前記第1層のビットコンタクト孔を充填する前記第1層の導電体膜プラグの上端と該第1層のビットコンタクト孔の上端近傍の該第1の層間絶縁膜の表面とを覆う姿態を有して,該第1層の導電体膜プラグに直接に接続されて、前記強誘電体容量素子を含めて前記第1の層間絶縁膜の表面は第2の層間絶縁膜により覆われ、該第2の層間絶縁膜には前記上部電極に達するプレートコンタクト孔と前記導電体膜パッドに達する第2層のビットコンタクト孔とが設けられ、前記第2の層間絶縁膜の表面には、前記プレートコンタクト孔を覆い,前記上部電極に直接に接続する第2のバリア導電体膜が設けられ、さらに、該第2のバリア導電体膜を介して該上部電極に接続されるプレート線と、該プレート線と同層からなり,前記第2層のビットコンタクト孔を介して前記導電体膜パッドに直接に接続し,該第2層のビットコンタクト孔の上端近傍において該第2の層間絶縁膜の表面を覆う姿態を有した第2層の導電体膜プラグとが設けられ、前記プレート線を含めて前記第2の層間絶縁膜の表面を覆う第3の層間絶縁膜には前記第2層の導電体膜プラグに達する第3層のビットコンタクト孔が設けられ、該第3の層間絶縁膜の表面には該第3層のビットコンタクト孔を介して該第2層の導電体膜プラグに直接に接続するビット線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5)：
H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/10 681 F
F-Term (58)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK28 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN38 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033VV16 ,  5F033XX09 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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