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J-GLOBAL ID:200903054588267626
架橋高分子薄膜の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
小倉 亘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992179301
Publication number (International publication number):1993339387
Application date: Jun. 12, 1992
Publication date: Dec. 21, 1993
Summary:
【要約】【目的】 使用可能なポリカチオン及びポリアニオンに対する制約を緩和し、多孔質基板に対する被覆性が良好であり、強度及び安定性に優れた架橋高分子薄膜を得る。【構成】 両親媒性物質,水溶性のポリアニオン及び水溶性のポリカチオンからなるイオンコンプレックスを気水界面で生成させ、イオンコンプレックスを基板上に移し取った後、ポリアニオンとポリアニオンのイオンコンプレックスとの間に共有結合による架橋を形成する。【効果】 気水界面の薄膜は、高分子間でイオン架橋した安定な膜として基板上に移し取られるため、基板表面の細孔に対する被覆性が優れ、多孔質基板であっても欠陥のない皮膜が形成される。そして、ポリアニオンとポリカチオンとの間の塩決高を共有結合に変換するとき、大きな強度をもち非常に安定した薄膜となる。
Claim (excerpt):
両親媒性物質,水溶性のポリアニオン及び水溶性のポリカチオンからなるイオンコンプレックスを気水界面で生成させ、前記イオンコンプレックスを基板上に移し取った後、前記ポリアニオンと前記ポリカチオンとの間に共有結合による架橋を形成することを特徴とする架橋高分子薄膜の製造方法。
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