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J-GLOBAL ID：200903054592638094

低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法

Inventor： マーク ジョン ロボダ ,  ジ-ピン リ ,  アンドリュー ジェイ.ステックル ,  チョン ユアン
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994192511
Publication number (International publication number)：1995165497
Application date： Aug. 16, 1994
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体デバイス用途等に有用な単結晶炭化ケイ素皮膜の作成方法を提供する。【構成】 炭化によってシリコン基材上に炭化ケイ素緩衝層を成長させ、薄い炭化ケイ素緩衝層を有するシリコン基材を600°C以上の温度に加熱し、前記加熱したシリコン基材を、炭化ケイ素皮膜がエピタキシャル成長するに充分な時間までケイ素含有シクロブタンを含むガスに接触させることによってシリコン基材上に炭化ケイ素皮膜をエピタキシャル成長させる。好ましくは、炭化ケイ素緩衝層をを成長させる前に、基材を酸に浸すか、又は1000°C以上の温度のHCl/H2 に基材を接触させる方法によってシリコン基材を洗浄し、炭化水素と水素を含む1000°C以上の温度の混合ガスに基材を接触させることによって炭化を行う。

Claim (excerpt)：

シリコン基材上に炭化ケイ素皮膜をエピタキシャル成長させる方法であって、炭化によってシリコン基材上に炭化ケイ素緩衝層を成長させ、薄い炭化ケイ素緩衝層を有するシリコン基材を600°C以上の温度に加熱し、前記加熱したシリコン基材を、炭化ケイ素皮膜がエピタキシャル成長するに充分な時間までケイ素含有シクロブタンを含むガスに接触させる方法。

IPC (4)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/32 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭62-072599
  
• 特開昭63-060200
  
• 特開昭63-103893
  
• 特開平3-115573
  
• 特開平4-065310
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-072599