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J-GLOBAL ID:200903054602702896

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003050895
Publication number (International publication number):2003321771
Application date: Feb. 27, 2003
Publication date: Nov. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 スパッタリング中に、割れやクラック、異常放電の発生がなく、高速でかつ安定なスパッタリングが可能であり、記録再生特性に優れた相変化光記録媒体を高い生産性で得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 酸化物から選ばれる1種類以上の物質と炭化物から選ばれる1種類以上の物質から構成される焼結体でスパッタリングターゲットを構成し、焼結体中の炭化物含有量を0.1wt%以上20wt%以下、相対密度を70%以上とする。特に、Taの酸化物とSiの炭化物とを含む焼結体であって、該焼結体中のSiの炭化物の含有量が0.1wt%以上20wt%以下であり、かつ、相対密度が70%以上である焼結体でスパッタリングターゲットを構成する。
Claim (excerpt):
酸化物から選ばれる1種類以上の物質と、炭化物から選ばれる1種類以上の物質とから構成され、該炭化物の含有量が0.1wt%以上20wt%以下であり、かつ、相対密度が70%以上である焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3):
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  G11B 7/26 531
FI (3):
C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 H
F-Term (33):
4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030AA44 ,  4G030AA45 ,  4G030AA47 ,  4G030BA14 ,  4G030CA09 ,  4G030GA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA29 ,  4G030GA30 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BA43 ,  4K029BA55 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE11 ,  5D121EE13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 光学情報記録媒体
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-305852   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 光記録媒体
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-151584   Applicant:京セラ株式会社
Cited by examiner (9)
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