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J-GLOBAL ID：200903054608493067

半導体装置

Inventor： 鞠山 満
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007353
Publication number (International publication number)：1995211922
Application date： Jan. 27, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 初期耐圧が大きく、しかも高信頼性を保証できる半導体装置を提供することにある。【構成】 酸素ドープ半絶縁膜10上の、少なくともAlオーバレイ6とAlチャンネルストッパー7間の離間部を被覆する絶縁膜が形成されてなることを特徴とする。そして、この絶縁膜は、シリコンナイトライド11、あるいはノンドープまたはリンドープCVD12、あるいは下層からシリコンナイトライド11、及びノンドープまたはリンドープCVD12の順に積層形成された絶縁膜のいづれかであることを特徴とする。また、上記各構造において、Alオーバレイ6とAlチャンネルストッパー7間上面を被覆するポリイミド膜13が形成されてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板に第2導電型の拡散部が形成され、該第2導電型の拡散部の周囲に該拡散部より離間して第1導電型の拡散部が形成され、前記半導体基板表面に、前記両拡散部端部にまたがるようにシリコン酸化膜及び酸素ドープ半絶縁膜が順次形成され、前記第2導電型の拡散部によって形成される接合部の上部近傍に電極となるAlオーバレイが形成され、前記第1導電型の拡散部の上部近傍に前記Alオーバレイから離間されてAlチャンネルストッパーが形成されてなる半導体装置において、前記酸素ドープ半絶縁膜上の、少なくとも前記AlオーバレイとAlチャンネルストッパー間の離間部を被覆する絶縁膜が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 C