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J-GLOBAL ID：200903054618944270

磁気抵抗センサ

Inventor： 菊地 英幸 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994013273
Publication number (International publication number)：1995225925
Application date： Feb. 07, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 スピンバルブ効果によって磁場を検出する磁気抵抗センサに関し、抵抗の変化を大きくして検出感度を向上する。【構成】 一方向に磁化されたFeMn等の反強磁性薄膜層4を挟んで形成したNiFe等の第1,第2の磁性薄膜層3,5と、これらの磁性薄膜層3,5にそれぞれ接してCu等の第1,第2の非磁性薄膜層2,6と、これらの非磁性薄膜層2,6にそれぞれ接してNiFe等の第3,第4の磁性薄膜層1,7とを基本構成とする。

Claim (excerpt)：

一方向に磁化された反強磁性薄膜層(4)の上下に配置した第1,第2の磁性薄膜層(3),(5)と、該第1,第2の磁性薄膜層(3),(5)にそれぞれ接して配置した第1,第2の非磁性薄膜層(2),(6)と該第1,第2の非磁性薄膜層(2),(6)にそれぞれ接して配置した第3,第4の磁性薄膜層(1),(7)とを少なくとも含む構成を有することを特徴とする磁気抵抗センサ。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053495   Applicant：株式会社東芝