シリコン結晶中の水素濃度測定方法, 低水素濃度シリコン結晶及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209785
Publication number (International publication number)：1995066256
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Si結晶中の水素に関し,低濃度での定量及び低濃度結晶の製造を目的とする。【構成】既知の水素濃度の水素ドープ結晶と被測定用シリコン結晶とを同一条件で熱処理してドナーを生成し,ドナー濃度を比較する。被測定用シリコン結晶とドナー濃度が等しい水素ドープ結晶の水素濃度を測定値とする。水素ドープ結晶は,シリコン結晶を水素含有雰囲気中で拡散熱処理して製作する。その濃度は,水素分圧及び処理温度から求められる。また,既知濃度の水素ドープ結晶を外方拡散させ,表面近傍に形成される水素濃度分布と比較することもできる。粒状ポリシリコンを酸素中で熱酸化して脱水素をし,原材料とする。さらに,浅い石英ルツボを用いて石英溶解を少なくしてメルト中水素濃度を減少する。

Claim (excerpt)：

シリコン結晶を水素を含む雰囲気中で熱処理して,該熱処理温度で該雰囲気中の水素分圧と熱平衡する水素濃度を有する水素ドープ結晶を製造する水素拡散熱処理を用いて,該水素拡散熱処理の温度又は水素分圧の少なくとも一方が異なる条件で製造された相互に水素濃度が異なる複数の該水素ドープ結晶を製造する工程と,次いで,被測定用シリコン結晶及び該水素ドープ結晶を同一条件下で熱処理してサーマルドナーを発生させるドナー生成熱処理工程と,次いで,該被測定用シリコン結晶中及び該水素ドープ結晶中のそれぞれの該サーマルドナー濃度を測定する工程と,次いで,該被測定用シリコン結晶中の該サーマルドナー濃度と該熱平衡水素濃度との関係に該被測定用シリコン結晶中の該サーマルドナー濃度を内挿又は外挿して,該被測定用シリコン結晶中の該サーマルドナー濃度と等しいサーマルドナー濃度を生ずる該水素ドープ結晶中の水素濃度を求めるドナー濃度比較工程とを有し,該ドナー濃度比較工程により求められた水素濃度を該被測定用シリコン結晶中の水素濃度とすることを特徴とするシリコン結晶中の水素濃度測定方法。

IPC (5)：

H01L 21/66 , C30B 15/02 , C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , G01N 27/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-060913
特開平4-175300
特開平4-124094

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