半導体放射線検出器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山崎拓哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008089432
Publication number (International publication number)：2009246073
Application date： Mar. 31, 2008
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】CdTeと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ2mmのn型酸化亜鉛で構成される基板210上に、膜厚0.1μmのPt薄膜からなるショットキー電極220を形成する。続いて、基板210の下面に膜厚0.1μmのCr薄膜231を形成し、更に、Cr薄膜231の下面に膜厚0.1μmのAu薄膜232を形成する。Cr薄膜231及びAu薄膜232はオーミック電極230として機能する。基板210に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた半導体放射線検出器。

IPC (6)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , H01L 27/14 , H01L 29/861 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (6)：

H01L31/00 A , G01T1/24 , H01L27/14 K , H01L27/14 D , H01L29/91 F , H01L29/48 D

F-Term (45)：

2G088EE29 , 2G088FF04 , 2G088GG21 , 2G088JJ04 , 2G088JJ37 , 4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD37 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M118AB01 , 4M118BA06 , 4M118CA06 , 4M118CB01 , 4M118GB01 , 4M118GB11 , 4M118HA02 , 4M118HA11 , 4M118HA30 , 5F088AA04 , 5F088AB09 , 5F088AB16 , 5F088BA20 , 5F088CB01 , 5F088CB07 , 5F088CB11 , 5F088CB15 , 5F088DA01 , 5F088EA03 , 5F088FA05 , 5F088FA12 , 5F088GA03 , 5F088JA03 , 5F088JA07 , 5F088JA10 , 5F088LA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

放射線検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-268908 Applicant：株式会社島津製作所
半導体放射線検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-342039 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
放射線検出モジュール、プリント基板および陽電子放出型断層撮影装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-263027 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社アクロラド

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