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J-GLOBAL ID：200903054626028371
光センサー
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351797
Publication number (International publication number)：1994177416
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】二つの波長の光センサーを一体化して機器制御の効率化を図る。【構成】図1は、日射・照度一体化センサーの概略である。センサー素子を同一基板上に形成した様子が図1(b) である。Si-N型基板28に、Pwellの拡散領域30が形成され、その中にN領域32が形成され、照度センサー素子4が構成される。Pwell領域30の横に別のP領域34が形成され、日射(赤外光)センサー素子2が構成される。また増幅器6,9 の一部を構成するMOS Tr 12,16も形成されている。各種保護層の26、24、22は、数千Aで薄く透明である。P拡散層30はアースに接地され、基板28は電源Vccに接続される。日射センサー素子2の側ではほぼすべての電子正孔対が信号に寄与する。照度センサー素子4の側では、上半分のPN接合5に生じる電子正孔対しか信号に寄与せず、従って赤外光による分が欠如した可視光による信号成分が主となる。
Claim (excerpt)：
可視光と赤外光の強度を検出する光センサーであって、第一伝導型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、可視光に検出ピークを持つ可視光ホトダイオードと赤外光に検出ピークを持つ赤外ホトダイオードとを有し、前記可視光ホトダイオードは、前記半導体基板の伝導型と異なる第二伝導型を有する第一領域と、前記第一領域内に形成されている第一伝導型の第二領域とで形成され、前記赤外ホトダイオードは、前記半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第二伝導型の第三領域とで形成され、前記半導体基板と前記第一領域とで形成される接合に逆バイアス電圧を印加したことを特徴とする光センサー。
IPC (3)：
H01L 31/10
, G01J 1/02
, G01J 1/44
H01L 31/10 D
, H01L 31/10 G
