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J-GLOBAL ID：200903054632433172

液晶表示素子

Inventor： 鵜飼 育弘 ,  砂田 富久 ,  稲田 利弥
Applicant, Patent owner： ホシデン株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242125
Publication number (International publication number)：1994095144
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 制御コンデンサ電極の容量と蓄積容量コンデンサ電極の容量の比が製造プロセスのバラツキに起因して変動することの少ない液晶表示素子画素を提供する。【構成】 上面に絶縁膜24が形成された透明基板1と、下面に共通電極6が形成された第2の基板5と、共通電極6と絶縁膜24との間に封入された液晶7と、複数の副画素電極4と、制御コンデンサ電極2と、蓄積容量コンデンサ電極12と、画素をオン、オフ制御するTFT8とより成る液晶表示素子画素において、制御コンデンサ電極2と蓄積容量コンデンサ電極12とを互いに同一の共通する面である絶縁膜24上面或は下面に形成し、これら制御コンデンサ電極2および蓄積容量コンデンサ電極12は絶縁膜24を介して対向配置された副画素電極4との間にそれぞれ制御コンデンサ容量或は蓄積容量を形成するものである液晶表示素子。

Claim (excerpt)：

上面に絶縁膜が形成された透明基板と、下面に共通電極が形成された第2の基板と、共通電極と絶縁膜との間に封入された液晶と、複数の副画素電極と、制御コンデンサ電極と、蓄積容量コンデンサ電極と、画素をオン、オフ制御するTFTとより成る液晶表示素子において、制御コンデンサ電極と蓄積容量コンデンサ電極とを互いに同一の共通する面である絶縁膜上面或は下面に形成し、これら制御コンデンサ電極および蓄積容量コンデンサ電極は絶縁膜を介して対向配置された副画素電極との間にそれぞれ制御コンデンサ容量或は蓄積容量を形成するものであることを特徴とする液晶表示素子。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784