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J-GLOBAL ID：200903054663915655

窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法

Inventor：
林 伸彦

About 林 伸彦

, 
畑 雅幸

About 畑 雅幸


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999219966
Publication number (International publication number)：2001044567
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 また、本発明によれば、半導体層に発生する欠陥が少なく、良好に発光し、長寿命化に適した窒化物系発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物系半導体材料からなるn型クラッド層5、活性層6及びp型クラッド層7が順に積層され、該p型クラッド層7の上部にはストライプ状のリッジ部9が設けられ、該リッジ部9の両側に電流ブロック層34が設けられたリッジ導波路型構造の半導体レーザ素子において、リッジ部9と電流ブロック層との界面に、酸素又は炭素を含有する第1ブロック層34Aを形成したことを特徴とする
Claim (excerpt)：
第1の窒化物系半導体層上に、成長を中断した後の再成長により形成された第2の窒化物系半導体層を有する窒化物系半導体素子において、前記第1の窒化物系半導体層と前記第2の窒化物系半導体層との界面に、酸素又は炭素を含有する領域を形成したことを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (4)：
H01S 5/227 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01S 5/227 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343
F-Term (20)：
5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA61 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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