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J-GLOBAL ID：200903054669402919

トンネル電界効果トランジスタを用いたメモリ

Inventor：
トーマス ニルシェル

About トーマス ニルシェル


Applicant, Patent owner：
キモンダ ノース アメリカ コーポレイション

About キモンダ ノース アメリカ コーポレイション


Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007131539
Publication number (International publication number)：2008021970
Application date： May. 17, 2007
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：
【課題】抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。【解決手段】メモリは、第1ドレイン124と第1ソース122aとを含む第1トンネル電界効果トランジスタ108aを含んでいる。上記第1ドレインは、第1抵抗記憶素子106aに結合されている。上記メモリは、第2トンネル電界効果トランジスタ108bを含んでいる。上記第2トンネル電界効果トランジスタは、第2ドレインを含み、上記第1ソース122aを共有している。上記第2ドレインは、第2抵抗記憶素子に結合されている。上記メモリは、ソースノードを設けるために、上記第1ソースに結合されている第1領域114を含む。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
第1ドレインと第1ソースとを含み、上記第1ドレインが第1抵抗記憶素子に結合されている第1トンネル電界効果トランジスタと、 第2ドレインを含み、上記第1ソースを共有し、上記第2ドレインが、第2抵抗記憶素子に結合されている第2トンネル電界効果トランジスタと、 ソースノードを設けるために、上記第1ソースに結合されている第1領域とを含むメモリ。
IPC (7)：
H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 45/00 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (8)：
H01L27/10 448 ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 447 ,  H01L45/00 A ,  H01L29/66 T ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 622
F-Term (34)：
4M119AA11 ,  4M119AA13 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119EE21 ,  4M119EE26 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA13 ,  5F083HA02 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110BB13 ,  5F110CC02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110GG37 ,  5F110GG60 ,  5F110NN71 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB00 ,  5F140AC13 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BB13 ,  5F140BH30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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