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J-GLOBAL ID：200903054681647420

半導体気相成長装置

Inventor： 石川 秀人 ,  山本 直 ,  今西 大介
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997001541
Publication number (International publication number)：1998199814
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体気相成長装置のより一層の操作、制御の簡便性の向上を図り、装置の配置のレイアウトを簡略化し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図る。【解決手段】 原料供給室1と、原料供給量制御室2と、反応室3と、排気圧力制御室4と、排ガス処理室5の各小区割室からなる半導体気相成長装置において、各小区割室を、それぞれ排気可能な個別小区割室とする。

Claim (excerpt)：

原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室を有し、上記原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小区割室からなることを特徴とする半導体気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/54

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 E ,  C23C 16/54