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J-GLOBAL ID：200903054689690562

半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 剛 ,  西岡 泰城 ,  朴 慶浩
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994313481
Publication number (International publication number)：1996186235
Application date： Dec. 16, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 素子の更なる微細化にも対応したより簡単な構造の半導体装置の製造方法。【構成】 メモリキャパシタ部分(10)とトランジスタ部分(20)を別々に作成し、両者を張り合わせ法により接続する。又別の態様においては、メモリキャパシタの層を三次元的に積層して、メモリキャパシタ部分を作成することを開示する。

Claim (excerpt)：

メモリキャパシタ部分とトランジスタ部分を別々に製造し、張り合わせ法によって両者を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651