スチレン誘導体

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311393
Publication number (International publication number)：2001181226
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】一般式1で表されるスチレン誘導体。(式中、R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を表す。R<SP>2</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を表す。R<SP>3</SP>はフェノールの保護基を表す。p,q,rはそれぞれ0≦p<5、0≦q<5、0<r<5の範囲の0又は自然数であり、かつ0≦p+q<5を満足する。)【効果】本スチレン誘導体より得られるレジスト材料は、特に170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れており、F<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料のベースポリマーを得るための好適な原料となり得る。微細なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるスチレン誘導体。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を表す。R<SP>2</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を表す。R<SP>3</SP>はフェノールの保護基を表す。p,q,rはそれぞれ0≦p<5、0≦q<5、0<r<5の範囲の0又は自然数であり、かつ0≦p+q<5を満足する。)

IPC (6)：

C07C 43/225 , C07C 69/63 , C07C 69/96 , G03F 7/039 601 , C07F 7/18 , C08F 12/14

FI (6)：

C07C 43/225 C , C07C 69/63 , C07C 69/96 Z , G03F 7/039 601 , C07F 7/18 A , C08F 12/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

スチルベン化合物、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびそれを用いてなる液晶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-088028 Applicant：住友化学工業株式会社
特開平3-258736
特開昭62-204255

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Aust.J.Chem., 1977, Vol.30, p.543-51
Tetrahedron Lett., 1992, Vol.33, No.26, p.3779-3782
LONG LU, DONALD J.BURTON

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