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J-GLOBAL ID：200903054692348743

単結晶引き上げ方法

Inventor： 柏原 義之 ,  的場 祥行 ,  山本 俊行 ,  梶田 栄治 ,  前田 靖則
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社 ,  住友シチックス株式会社 ,  九州電子金属株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074116
Publication number (International publication number)：1993279174
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体素材多結晶を溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用い、引き上げ速度をあらかじめ設定された範囲内で操作するとともに、ヒータ発熱量またはヒータ温度を操作することにより、あらかじめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げる単結晶引き上げ方法。【効果】 単結晶引き上げ速度が略一定のもとで、あらかじめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げることができるとともに、熱歪みによる欠陥が少なく、不純物析出量が安定した高品質の単結晶を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体素材多結晶を溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用い、引き上げ速度をあらかじめ設定された範囲内で操作するとともに、ヒータ発熱量またはヒータ温度(以下「ヒータ温度」と記す)を操作することにより、あらかじめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-113696
  
• 特開昭48-046573
  
• 特開平1-313385