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J-GLOBAL ID：200903054694161934

トレンチ素子分離構造およびその形成方法

Inventor： 片岡 豊▲隆▼
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124576
Publication number (International publication number)：1995307382
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 後の熱処理工程において素子分離性能が低下することのないトレンチ素子分離構造およびその形成方法を提供すること。【構成】 半導体基体11に形成した溝12内に絶縁層を埋込んでなるトレンチ素子分離構造において、上記絶縁層は、半導体基体11と熱膨張係数を略等しくすることが可能な酸窒化シリコン層13からなるようにする。このことによって、後の熱処理工程によって半導体基体11と酸窒化シリコン層13との界面に応力が生じ難くくなり、界面における結晶欠陥の発生が少なくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基体に形成した溝内に絶縁層を埋込んでなるトレンチ素子分離構造において、前記絶縁層は、酸窒化シリコン層からなることを特徴とするトレンチ素子分離構造。