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J-GLOBAL ID：200903054725890239
アクティブマトリクス基板及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242337
Publication number (International publication number)：1994095145
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】アクティブマトリクス基板の絶縁膜の絶縁性を高め、かつ走査線の比抵抗を低く抑える。【構成】ゲート電極5を含む走査線の真上に形成された酸化絶縁膜11中に窒素イオンドープ処理、窒素プラズマ処理等で窒素を含有させる。酸化絶縁膜11の高絶縁性が維持されるとともに、ゲート電極5を含む走査線は表面に僅かに窒素が含有されるだけであるのでその比抵抗の増加が抑えられる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に平行に配設された複数の走査線と、各走査線上に積層された酸化絶縁膜と、各走査線とは直交するように配設された複数の信号線と、隣接する走査線および隣接する信号線によって囲まれる領域内にそれぞれ配置された絵素電極と、各絵素電極および各絵素電極を取り囲む一方の走査線および信号線にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、を有するアクティブマトリクス基板であって、走査線の真上に形成された酸化絶縁膜の、少なくとも、走査線との界面から半分の厚さまでの部分と、絶縁性基板の走査線を形成していない部分の表面部分に、窒素が含有されているアクティブマトリクス基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
