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J-GLOBAL ID：200903054726401533

単結晶膜の製造方法

Inventor： 平松 靖二
Applicant, Patent owner： イビデン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994176012
Publication number (International publication number)：1996012490
Application date： Jul. 04, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電気光学定数と屈折率差が大きい単結晶膜を得る。【構成】 単結晶基板あるいは薄膜が形成された単結晶基板との屈折率差が、常光線および異常光線に対して5/100以上である単結晶薄膜の製造方法であって、単結晶基板あるいは薄膜が形成された単結晶基板の上に、製造しようとする単結晶膜と同物質から成るバッファー層を形成した後、液相エピタキシャル法により単結晶膜を形成することを特徴とする単結晶膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

単結晶基板との屈折率差が、常光線および異常光線に対して5/100以上である単結晶膜の製造方法であって、単結晶基板の上に、製造しようとする単結晶膜と同物質から成るバッファー層を形成した後、液相エピタキシャル法により単結晶膜を形成することを特徴とする単結晶膜の製造方法。

IPC (5)：

C30B 19/12 ,  C30B 23/02 ,  C30B 29/30 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/10