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J-GLOBAL ID：200903054726705745
量子閉じ込め半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307806
Publication number (International publication number)：1993218499
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Si等の間接ギャップ材料で実用的な性能特性を持った電気ルミネッセンス素子を製造する。【構成】本発明は電気ルミネセント構造及びバルク状では間接バンドギャップを有する材料で本構造を形成する方法により構成される。処理工程のすべてが標準的なVLSI法に従って行われる。マスキング反応性イオンエッチングと酸化により、例えばアレイ状に量子カラム、量子ワイヤ、量子ドットを形成する。【効果】半導体コアが十分狭められたら、量子力学的閉じ込め効果により、注入キャリアのエネルギー効率及び放射再結合効率が上昇する。コアの直径を調整することにより、単独または複数の波長発光バンドを選択することが可能になる。
Claim (excerpt)：
基板と、第一の伝導型を有するキャリアにより支配的に占有され、かつ前記基板と接触関係に配置された間接ギャップ半導体の第一領域と、前記第一の伝導型と反対の第二の伝導型のキャリアにより支配的に占有された間接ギャップ半導体の第二領域であって、第一及び第二の領域からのキャリアが結合し、それによって光を発するように配置された上記第二領域と、を含み、上記第一及び第二の領域が多次元において量子キャリアの閉じ込めをもたらすように形成されているエレクトロルミネッセンス構造体。
Patent cited by the Patent：
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