Pat

J-GLOBAL ID：200903054739042273

半導体レーザ素子用サブマウント

Inventor： 門脇 朋子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993095728
Publication number (International publication number)：1994310617
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子を電気的短絡が生ずることなく、位置精度よくダイボンドできるサブマウントを得る。【構成】 サブマウント2のレーザ接着部2a1 〜2a4 の各々を、その最上面の横幅がレーザの接着面の横幅よりも小さくなるよう形成された,その断面形状が台形状の凸部でもって形成し、この凸部の最上面及びこれに続く傾斜面の上端部にそれぞれ電極パターン16a〜16dとハンダ材17a〜17dをこの順に形成する。

Claim (excerpt)：

複数のレーザを分離溝を介して並設してなる半導体レーザアレイ素子を放熱体にダイボンディングするためのサブマウントであって、その上面の横幅がレーザの接着面の横幅よりも小さく、かつ、その側壁面の少なくとも一方が傾斜面となるよう形成された,その断面形状が台形形状のレーザマウント部が、上記複数のレーザの各レーザに対応して複数形成され、上記複数のレーザマウント部の各々には、その上面及びこれに続く傾斜面上に電極パターン及びハンダ材が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01S 3/18