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J-GLOBAL ID：200903054743091157

部位により配向性が異なる酸化物超電導薄膜の作製方法

Inventor： 稲田 博史 ,  飯山 道朝
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992059512
Publication number (International publication number)：1993221794
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Aug. 31, 1993
Summary：

【要約】【構成】 基板5上の酸化物超電導薄膜のc軸配向の部分が配置される部分に、CaOとZrを積層して被覆層6を形成し、その上に薄いa軸配向のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜3を成膜する。被覆層6をリフトオフして、c軸配向の酸化物超電導薄膜が成長する条件でY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜を形成する。このY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜の、基板5が露出している上に成長した部分はc軸配向のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜になり、a軸配向のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜3上の部分はa軸配向のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜2となる。【効果】 最初に成膜した薄いa軸配向のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜を加工しないので、その上に積層したY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜との連続性がよくなる。

Claim (excerpt)：

基板上にa軸配向の部分とc軸配向の部分とを有する酸化物超電導薄膜を作製する方法において、前記基板成膜面の、前記酸化物超電導薄膜のc軸配向の部分が成長する部分に酸化物超電導薄膜および基板成膜面を傷めずに剥離可能な材料で被覆層を形成し、前記基板成膜面全体にa軸配向の薄い酸化物超電導薄膜またはa軸配向の酸化物超電導薄膜と類似の結晶構造を有する酸化物薄膜を形成した後、前記被覆層を剥離し、前記基板を高真空中で加熱して前記被覆層に被覆されていた部分を清浄にし、基板成膜面全体にc軸配向の酸化物超電導薄膜が成長する条件で酸化物超電導薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする酸化物超電導薄膜の作製方法。

IPC (7)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/34 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/02 ZAA