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J-GLOBAL ID：200903054745622770

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 深谷 一夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005399
Publication number (International publication number)：1997199784
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 共振器端面の劣化が抑制された長寿命の半導体レーザを提供すること。【解決手段】 n型GaAs基板301上に、ウィンドウ領域の高さ補正のためのレジストマスク302を用いたエッチングと、レジストマスク303を用いたエッチングにより導波路方向にのびてウィンドウ領域のみ湾曲した矩形型ストライプを形成する。こうして得られた形状基板全体をなめらかにエッチングすることにより凸状ストライプの稜線がウィンドウ部で側方に湾曲した形状の基板を得る。その上に、InGaAs歪量子井戸SCH構造306を含むダブルヘテロ構造および導波路構造をMOVPE法により成長させる。この結果、導波路に沿ってInGaAs活性層の基板面方位からの傾斜角が、共振器内部領域からウィンドウ部の端面にかけて0度から6度になめらかに傾いた構造のウィンドウレーザが得られる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、InGaAs歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ接合層を設けてなり、かつ共振器端面近傍に活性層のバンドギャップ(以下Egと記す)が共振器内部領域の活性層のEgより大なるウィンドウ領域を有するウィンドウ型歪量子井戸半導体レーザにおいて、共振器内部領域の導波路がダブルヘテロ構造の堆積方向に向かって凸型ストライプ状になめらかに湾曲した活性層の稜線に沿って形成され、かつウィンドウ領域の導波路がダブルヘテロ構造の堆積方向に向かって凸状ストライプ状になめらかに湾曲した活性層の稜線の側方の、面方位が基板の面方位から少なくとも4度の角度で傾いた活性層に沿って形成されてなることを特徴とする半導体レーザ。