半導体ウェーハの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005049170
Publication number (International publication number)：2006237235
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】ミスフィット転位が発生せず、十分な歪みを有し、様々な仕様のデバイス設計に対応できる厚さの歪Si層が形成された半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面に層の堆積温度における臨界膜厚以下のSi1-XGeX層(0<X<1)及び後の緩和熱処理温度における臨界膜厚以下のSi層を順次形成し、前記Si層を通して水素イオン、希ガスイオン、またはSiイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に緩和用イオン注入層を形成し、その後緩和熱処理を行なうことにより前記Si1-XGeX層を格子緩和させるとともに前記Si層に格子歪を導入して歪Si層を形成した後、前記歪Si層の表面にSiを堆積させて該歪Si層の厚さを増加させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面に層の堆積温度における臨界膜厚以下のSi1-XGeX層(0<X<1)及び後の緩和熱処理温度における臨界膜厚以下のSi層を順次形成し、前記Si層を通して水素イオン、希ガスイオン、またはSiイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に緩和用イオン注入層を形成し、その後緩和熱処理を行なうことにより前記Si1-XGeX層を格子緩和させるとともに前記Si層に格子歪を導入して歪Si層を形成した後、前記歪Si層の表面にSiを堆積させて該歪Si層の厚さを増加させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/762

FI (3)：

H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L21/76 D

F-Term (32)：

5F032AA91 , 5F032CA09 , 5F032DA12 , 5F032DA21 , 5F032DA24 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN04 , 5F152LN07 , 5F152LN08 , 5F152LN21 , 5F152LP01 , 5F152LP02 , 5F152LP04 , 5F152LP09 , 5F152MM19 , 5F152NN02 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN12 , 5F152NN16 , 5F152NP04 , 5F152NQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許6464780号明細書
半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-186767 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
歪み緩和膜の製造方法、および、歪み緩和膜を有する積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-033786 Applicant：廣瀬佳久, 澤野憲太郎, 黄晋二, 中川清和, 服部健雄, 白木靖寛

Cited by examiner (3)

基板上に歪層を製造する方法と層構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-504293 Applicant：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
基板上に歪層を製造する方法及び層構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-504301 Applicant：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
歪み半導体材料から成る層の転移方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-519124 Applicant：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレターテクノロジーズ

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