Pat

J-GLOBAL ID：200903054759542647

吸収性無機反射防止膜の膜質判定方法並びに膜質判定装置及び成膜判定装置

Inventor： 中野 博之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133360
Publication number (International publication number)：1996327539
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】CVD、PVDにより成膜される吸収性無機反射防止膜のフォトリソグラフィに適用した場合の膜質を精度よくかつ速やかに判定することができる吸収性無機反射防止膜の膜質判定方法並びに膜質判定装置及び成膜状態をモニターできる成膜判定装置を提供する。【構成】下地基体上に成膜された吸収性無機反射防止膜に対して電磁波を照射することによって、膜質状態を知る特定の値を測定し、この特定の値から、実際にレジストを吸収性無機反射防止膜に積層してフォトリソグラフィを行う際における吸収性無機反射防止膜の定在波低減効果を判定する。具体的には、屈折率、反射率、X線回折強度を測定してそれから予め求めておいたデータベースを利用して定在波低減効果を判定する。この装置をCVD、PVDと組み合わせる。

Claim (excerpt)：

パターニングすべき下地基体とレジスト間に介在する吸収性無機反射防止膜の膜質判定方法であって、該下地基体上に成膜された吸収性無機反射防止膜に対して電磁波を照射することによって、膜質状態を知る特定の値を測定し、該特定の値から、実際にレジストを該吸収性無機反射防止膜に積層してフォトリソグラフィを行う際における該吸収性無機反射防止膜の定在波低減効果を判定することを特徴とする吸収性無機反射防止膜の膜質判定方法。

IPC (5)：

G01N 21/41 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01N 21/41 Z ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/30 574