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J-GLOBAL ID：200903054778153775
薄膜磁気ヘッド
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331085
Publication number (International publication number)：1996167124
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層と主電極層との電気的絶縁性能を向上させる。【構成】 下部シールド層2の表面にアルミナの下部ギャップ層11が形成され、その上にMR素子4と縦バイアス層9、および上部ギャップ層12が形成されている。磁気媒体との対向部では、下部シールド層2と上部シールド層3との間にMR素子4、縦バイアス層9、各ギャップ層11,12が現れ、下部ギャツプ層11と上部ギャップ層12とでギャップ長GLが決められる。磁気媒体との対向部以外では、主電極層5と下部シールド層2との間に下部ギャップ層11と上部ギャップ層12とが介在し、主電極層5は上部ギャップ層12を貫通して縦バイアス層9に接続されている。主電極層5と下部シールド層2との間に両ギャップ層11と12とが介在し、主電極層5と下部シールド層2との電気絶縁性能が向上する。
Claim (excerpt)：
下部シールド層と、上部シールド層と、磁気抵抗効果を有する薄膜を含んだ磁気抵抗効果素子と、前記薄膜にバイアス磁界を与えるバイアス層と、磁気抵抗効果素子に検出電流を与える主電極層と、磁気媒体との対向部にて前記磁気抵抗効果素子と下部シールド層との間に現れる下部ギャップ層と、磁気媒体との対向部にて磁気抵抗効果素子と上部シールド層との間に現れる上部ギャップ層とを有し、前記下部ギャップ層と上部ギャップ層とが主電極層と下部シールド層との間に形成され、上部ギャップ層を貫通して前記主電極層と前記磁気抵抗効果素子とが電気的に導通されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (2)：
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