Pat
J-GLOBAL ID：200903054781797993
酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998135053
Publication number (International publication number)：1999330051
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 下地である絶縁層とのエッチング比を高くした酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 絶縁層3の上に成膜された酸化バナジウム膜4をプラズマエッチングする際、フッ素原子数6以上のフッ化物ガスを体積比で10%以上含むエッチングガスを用いる。これにより、絶縁層3と酸化バナジウム膜4とのエッチング比が大きく異なる。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に成膜された酸化バナジウム膜をプラズマエッチングする際、フッ素原子数6以上のフッ化物ガスを体積比で10%以上含むエッチングガスを用いることを特徴とする酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 F
, G01J 1/02
