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J-GLOBAL ID：200903054801758051

半導体レーザ素子

Inventor： 山中 英生
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002134941
Publication number (International publication number)：2003332674
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、端面の熱伝導性を向上させ、出力および信頼性を高める。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、n-Ga1-z1Alz1As下部クラッド層12、i-In0.49Ga0.51P下部光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層14、i-In0.49Ga0.51P上部光導波層15、p-Ga1-z1Alz1As上部第一クラッド層16、p-In0.49Ga0.51Pエッチング阻止層17、p-Ga1-z1Alz1As上部第二クラッド層18、p-GaAsコンタクト層19、絶縁膜20、p側電極21、n側電極22を形成する。共振器端面の一方に膜厚λ/4のAl2O3からなる低反射膜14を形成し、他方の端面に、反射率95%以上のλ/4酸化物の積層物からなる高反射膜13(Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2)を形成する。反射膜において、積層体側から第1層であるAl2O3の表面粗さを3nm以下とする。

Claim (excerpt)：

発光層および導波層を含む半導体の積層体からなり、該積層体の共振器端面に酸化物からなるパッシベーション膜を備えた半導体レーザ素子において、前記パッシベーション膜の前記積層体側から第1層の表面粗さが3nm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (7)：

5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28