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J-GLOBAL ID：200903054805592778

プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置

Inventor： 高木 智 ,  寺西 康治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998347797
Publication number (International publication number)：1999243062
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、任意形状の大面積の基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成するプラズマCVD方法及びプラズマCVD装置を提供することを目的としている。【解決手段】減圧可能な反応容器、該反応容器内に配された基体保持手段、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、高周波電源によって発振周波数が30〜600MHzの範囲にある高周波電力をプラズマ発生用高周波電極に供給する高周波電力供給手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気手段とを有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を該プラズマ発生用高周波電極に供給し、該基体保持手段により保持される基体と該プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成する高周波プラズマCVD装置において、前記プラズマ発生用高周波電極に、該電極の給電点の反対側の部分で反射電力の位相を調整するものである。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器、該反応容器内に配された基体保持手段、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、高周波電源によって発振周波数が30〜600MHzの範囲にある高周波電力をプラズマ発生用高周波電極に供給する高周波電力供給手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気手段とを有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を該プラズマ発生用高周波電極に供給し、該基体保持手段により保持される基体と該プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発生させて基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、前記プラズマ発生用高周波電極には、該プラズマ発生用高周波電極へ該高周波電力を供給するための給電点の反対側の先端部分に反射電力の位相を調整する位相調整回路が接続されているプラズマCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A