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J-GLOBAL ID：200903054809471541

電界効果トランジスタ

Inventor： 荒牧 晋司
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (3)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  星野 哲郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003015057
Publication number (International publication number)：2004228371
Application date： Jan. 23, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】本発明は、有機半導体材料を用いた電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び/又はドレイン電極から半導体層へのキャリアの流れをスムーズにすることのできる電界効果トランジスタを提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、半導体層として有機半導体材料からなる有機半導体膜を有する電界効果トランジスタであって、前記有機半導体膜において、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成する領域における酸化型又は還元型のいずれかの導電性付与剤の濃度分布が他の領域におけるものと異なることを特徴とする電界効果トランジスタを提供することにより上記目的を達成するものである。【選択図】 無し

Claim (excerpt)：

半導体層として有機半導体材料からなる有機半導体膜を有する電界効果トランジスタであって、前記有機半導体膜において、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成する領域における酸化型又は還元型のいずれかの導電性付与剤の濃度分布が他の領域におけるものと異なることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28

F-Term (24)：

5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27