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J-GLOBAL ID：200903054823160214

固体表面と気体とを反応させる方法

Inventor： 劔持 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281319
Publication number (International publication number)：1993121337
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁基板上へのSi薄膜形成のように固体表面と気体とを反応させる方法において、固体表面における気体の実効的ガス流量を向上させて均一なガス流を形成することにより反応の律速条件を制御する。【構成】 減圧状態にした反応炉1内に水平に置かれた実質的に平坦な固体試料2表面と、この反応炉内に導入した気体とを反応させるにあたり、固体試料2表面に平行な方向に反応気体を供給しつつ、固体試料2表面の上方から反応気体と同組成の気体を噴出して反応させる。反応律速の状態に制御されるので、すぐれた膜質の薄膜が堆積される。

Claim (excerpt)：

減圧状態にした反応炉内に水平に置かれた実質的に平坦な固体試料表面と、この反応炉内に導入した気体とを反応させるにあたり、前記固体試料表面に平行な方向に反応気体を供給しつつ、前記固体試料表面の上方から前記反応気体と同組成の気体を噴出させて、固体試料表面と反応させることを特徴とする固体表面と気体とを反応させる方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭54-080071
  
• 特開平1-255213
  
• 特開平1-129974
  
• 特開平2-262333