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J-GLOBAL ID：200903054833853528

ガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の 形成方法

Inventor： 山田 公
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088223
Publication number (International publication number)：1994275545
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【構成】 気相蒸着による薄膜形成において、ガスクラスターイオンビームを蒸着域に照射して化合物薄膜を形成する。【効果】 ガスクラスターイオンの低エネルギー性と高い化学反応性を利用し、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス等において有用な、イオン損傷を抑え、高品質の化合物薄膜を形成することを可能とする。

Claim (excerpt)：

気相蒸着による薄膜形成において、ガスクラスターイオンビームを蒸着域に照射して化合物薄膜を形成することを特徴とするガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/46 ,  H01J 37/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-074511
  
• 特開平4-354865
  
• 特開昭57-082806
  
• 特開昭60-055615