III族窒化物半導体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998042241
Publication number (International publication number)：1999243056
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板へのIII族窒化物半導体のヘテロエピタキシにおいて、割れを防止する。【解決手段】基板と分子線エピタキシー装置の分子線源との間に、格子状のマスクを配置し、エピタキシャル膜を小区画に分割して成長させて、内部応力を解放する。基板表面に、その上の正常なエピタキシャル成長を阻害するような酸化膜、窒化物、金属膜等の格子状の異物を設けても良い。

Claim (excerpt)：

IV族半導体基板上にIII族元素の窒化物半導体をエピタキシャル成長する方法において、多数の区画された結晶性の良好な小領域としてエピタキシャル成長することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-029434 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子及び当該素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-316291 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭57-056922

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