Pat
J-GLOBAL ID：200903054858057629
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993087468
Publication number (International publication number)：1994301937
Application date： Apr. 14, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果型ヘッドに関し、再生出力を低下させずにバルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気抵抗効果型ヘッドを実現することを目的とする。【構成】 強磁性磁気抵抗効果素子10と、該磁気抵抗効果素子10に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素子10の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ、該磁気抵抗効果素子10の磁区構造を制御する反強磁性膜12と、該磁気抵抗効果素子10に電気的に結合して再生電流を供給する引き出し導体層13とが順次積層されて構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気抵抗効果素子10の中央部に画定されて形成された磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子10の検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵抗効果素子10の両端に生ずる一方向性磁界の強度より小さくなる磁区制御手段を有するように構成する。
Claim (excerpt)：
強磁性磁気抵抗効果素子(10)と、該磁気抵抗効果素子(10)に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素子(10)の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ該磁気抵抗効果素子(10)の磁区構造を制御する反強磁性膜(12)と、該磁気抵抗効果素子(10)に電気的に結合して再生電流を供給する引き出し導体層(13)とが順次積層されて構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気抵抗効果素子(10)の中央部に画定されて形成された磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子(10)の検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵抗効果素子(10)の両端に生ずる一方向性磁界の強度より小さくなる磁区構造制御手段を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
IPC (2)：
Return to Previous Page
