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J-GLOBAL ID：200903054867885216

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子

Inventor： 内田 憲治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058798
Publication number (International publication number)：1998256666
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層のエピタキシャル成長の下地として結晶基板上に形成される窒化物系化合物半導体バッファ層の表面平坦性を向上させて、エピタキシャル成長の結晶核を高密度且つ均一に形成すること。【解決手段】 非晶質バッファ層を成長温度を変えて形成した多層膜構造とする。即ち、結晶基板上に形成される第1のバッファ層の成長温度に対し、第1のバッファ層上に形成される第2のバッファ層の成長温度を低くする。このように成長されるバッファ層及びその上に積層される窒化物系化合物半導体層の組成を、(AlxGa1-x)1-yInyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とし、バッファ層上に積層された窒化物系化合物半導体層を以て発光ダイオード又はレーザダイオードを構成する。【効果】 上述の窒化物系化合物半導体層の結晶欠陥密度低減により、発光ダイオードやレーザ素子の発光効率が向上した。

Claim (excerpt)：

基板上に順次、少なくとも第1および第2のバッファ層から成る多層膜構造としたバッファ層を形成後、上記バッファ層上に窒化物系化合物半導体を結晶成長することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C