液晶表示装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：クオンタ・ディスプレイ・ジャパン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003336707
Publication number (International publication number)：2005108912
Application date： Sep. 29, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法ではチャネル長が短くなると製造裕度(マージン)が小さく歩留が低下する。【解決手段】信号線の形成工程と絵素電極の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、走査線の形成工程と半導体層の形成工程、走査線の形成工程とエッチストップ層の形成工程、さらには走査線の形成工程とコンタクト形成工程とをハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術との技術の組合せによるTN型液晶表示装置の4枚マスク・プロセス、3枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのソース配線がチャネルとなる不純物を含まない第1の半導体層に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層を介して接続され、透明導電性の絵素電極が前記第1の半導体層に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層を介して接続されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/768

FI (5)：

H01L29/78 612C , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L29/78 612D , H01L21/90 A

F-Term (87)：

2H092GA11 , 2H092GA40 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB57 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA16 , 2H092MA24 , 2H092MA35 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA04 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092QA07 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094EB02 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH17 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033LL02 , 5F033MM05 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F110AA16 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM17 , 5F110HM18 , 5F110HM19 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN38 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-208424 Applicant：松下電器産業株式会社

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