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J-GLOBAL ID：200903054874639115
デュアルゲート型電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994164779
Publication number (International publication number)：1996008441
Application date： Jun. 23, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 デュアルゲートFETにおける第2のゲート電極とドレイン電極との間の静電破壊強度の向上を図る。【構成】 デュアルゲートFETにおいて、第1のゲート電極3は複数の給電点を有するくし型ゲート電極とし、第2のゲート電極4は交互に反対方向に折れ曲がった形状の単一給電点を有する非くし型ゲート電極とする。
Claim (excerpt)：
第1のゲート電極および第2のゲート電極を有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおいて、上記第1のゲート電極が複数の給電点を有し、かつ上記第2のゲート電極が単一の給電点を有することを特徴とするデュアルゲート型電界効果トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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