Pat

J-GLOBAL ID：200903054892951908

スパッタリング用高純度チタンターゲット及びその製造方法

Inventor： 寺田 勝則 ,  中台 保夫 ,  金 豊
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140945
Publication number (International publication number)：1996333676
Application date： Jun. 07, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体デバイスのスパッタリング成膜に使用される高純度チタンターゲットに関してその結晶粒の微細化を図ると共に面内配向性を制御すること。【構成】 純度4N5以上(但し、不純物としては金属成分)の高純度チタンのバルク材に管理された温度で塑性加工を施した後に、管理された温度で熱処理を施し、結晶の平均粒径が20μm以下(ASTM8.5以上)とし、外表面に平行な結晶面の法線方向への配向を

Claim (excerpt)：

純度4N5以上(但し、不純物としては金属成分)で平均粒径が20μm以下であることを特徴とするスパッタリング用高純度チタンターゲット。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C22C 14/00 ,  C22F 1/18 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203

FI (5)：

C23C 14/34 A ,  C22C 14/00 Z ,  C22F 1/18 H ,  C23C 14/14 D ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スパッタリング用高純度チタンターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318181   Applicant：真空冶金株式会社