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J-GLOBAL ID：200903054915704539

新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡邉 聡 ,  前田 和規
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002233523
Publication number (International publication number)：2004075542
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。【化1】(式中、Rは水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10のアルキル基、又は炭素数6〜14のアリール基を示す。pは1又は2であり、qは0又は1で、p+q=2を満足する。nは0又は1であり、mは3〜11の整数である。kは0〜6の整数である。)【効果】本発明のスルホニルジアゾメタンを用いた化学増幅型レジスト材料は、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少ない。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。

IPC (4)：

C07C317/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5)：

C07C317/28 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (21)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80 ,  4H006AB92 ,  4H006TB53 ,  4H006TN50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-213021   Applicant：信越化学工業株式会社
• 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-174945   Applicant：信越化学工業株式会社
• 感放射線組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-046374   Applicant：三菱化学株式会社
• ネガ型電子線又はX線レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-121430   Applicant：富士写真フイルム株式会社