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J-GLOBAL ID：200903054917915022
強磁性トンネル接合
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿部 美次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996248410
Publication number (International publication number)：1998091925
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高いMR変化率を、再現性良く得ることのできる強磁性トンネル接合を提供する。【解決手段】 第1強磁性層1と、絶縁層3と、第2強磁性層2とが順次積層されいる。絶縁層3によるバリアポテンシャルは、0.5〜3eVの範囲にある。
Claim (excerpt)：
第1強磁性層と、絶縁層と、第2強磁性層とが順次積層されてなる強磁性トンネル接合であって、前記絶縁層によるバリアポテンシャルが0.5〜3eVの範囲にある強磁性トンネル接合。
IPC (2)：
FI (2)：
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