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J-GLOBAL ID：200903054919937813

二次元配列構造体基板および該基板から剥離した微粒子

Inventor： 松元 隆夫 ,  竹井 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 作田 康夫 ,  井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003381951
Publication number (International publication number)：2005144569
Application date： Nov. 12, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】 基板上に固相化された光学的または化学的、さらには電気的に特異な性質を有する二次元配列構造体を形成する技術に関し、二次元配列構造体の光学および電気的特性を金属間隔の制御によって容易に、かつ高いスループットと低いコストで調製すること。【解決手段】 エッチングにより間隙が高精度に形成された微粒子の上に材料を蒸着する。【効果】 光学特性、電気特性、化学特性を自由に変えられる二次元配列構造体を実現出来る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に密に固定されている誘電体あるいは半導体の微粒子を異方性ドライエッチング処理により縮小させ、蒸着もしくはスパッタリングにより金属もしくは半導体を微粒子上に半球状に付着させることにより隣り合った微粒子の金属どうしの間隙を任意の距離に制御して形成する二次元配列構造体基板。

IPC (4)：

B82B3/00 ,  C23C14/14 ,  G01N21/27 ,  H01L31/04

FI (4)：

B82B3/00 ,  C23C14/14 Z ,  G01N21/27 C ,  H01L31/04 Z

F-Term (30)：

2G059AA05 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059EE12 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059KK01 ,  4K029AA22 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BA13 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029FA04 ,  5F051AA14 ,  5F051CB14 ,  5F051CB22 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• センサーおよびそれを用いた物質の反応の検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-200854   Applicant：理化学研究所