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J-GLOBAL ID：200903054937262556

半導体センサ用単結晶半導体基板の製造方法及び半導体センサ

Inventor： 鵜飼 征一 ,  嶋田 智
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221749
Publication number (International publication number)：1993063209
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体式のセンサに関し、特にセンサ内部に空洞を持つ構造を一枚の単結晶半導体基板から形成することを目的とする。【構成】 N型単結晶半導体基板1の内部に導伝型或は不純物濃度の異なる単結晶領域を設け、この部分を選択的にエッチングする事により空洞部3が形成される。エッチング用溝はSiN,CVD-SiO2等からなる膜4で埋められる。【効果】 一枚のN型層基板から構成されておりダイアフラムを固定台と接合しないため、接合後の残留応力や台とのアライメント誤差がない。したがってセンサの感度ばらつきが低減できる。

Claim (excerpt)：

N型単結晶半導体基板にP型エピタキシャル層を積層する工程と、このエピタキシャル層の表面にドーピング用の保護膜を形成する工程と、この保護膜をほぼダイアフラム形状にパターニングし、窓開けして前記保護膜が除去された領域を形成する工程と、この上から不純物をドーピングしてN型基板層まで到達せしめ、前記領域をN型化してP型エピタキシャル層の島状部を形成する工程と、前記保護膜を除去した後、表面からN型エピタキシャル層をダイアフラムの厚さに積層する工程と、を含むことを特徴とする半導体センサ用単結晶半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/306

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-308390
  
• 特開平2-224374
  
• 特開昭63-056962
  
• 特開平2-181472
  
• 特開平1-136378