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J-GLOBAL ID：200903054939506851

固体撮像素子及びその製造方法

Inventor： 福所 孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000238679
Publication number (International publication number)：2002057318
Application date： Aug. 07, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 微細化を図ることができると共に、混色を防止することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。また、無効領域を低減して感度の向上を図ることができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】 半導体基体1の内部をトレンチ加工して、絶縁膜を埋め込むことにより素子分離層20が形成された固体撮像素子30を構成する。そして、この固体撮像素子30の製造において、トレンチ加工した溝の周囲にP型不純物をイオン注入するか、或いはP型不純物が導入された絶縁膜を埋め込み素子分離層20を形成し、この素子分離層20からP型不純物を拡散させる。また、センサ部と垂直転送レジスタを有して成り、垂直転送レジスタの下方に混色防止のための不純物領域がこの垂直転送レジスタより狭い幅に形成されている固体撮像素子を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基体の内部をトレンチ加工して、絶縁膜を埋め込むことにより素子分離層が形成されたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

F-Term (31)：

4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA08 ,  4M118CA03 ,  4M118DA02 ,  4M118DA03 ,  4M118DA33 ,  4M118DA40 ,  4M118FA28 ,  5C024CX32 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX51 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ01 ,  5C024GZ36 ,  5C024JX21 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA17 ,  5F049NB05 ,  5F049PA08 ,  5F049PA10 ,  5F049QA14 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-312669
  
• 特開平1-205566
  
• 特開昭59-211244
  
• 特開平1-205565